| 陈 钊.500kVCVT电磁单元部分单点发热缺陷分析处理[J].电工技术,2017(4):168-169 |
| 500kVCVT电磁单元部分单点发热缺陷分析处理 |
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| DOI： |
| 中文关键词: 单点发热 速饱和阻尼器 涡流 |
| 英文关键词: |
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| 中文摘要: |
| 针对一起500kVCVT电磁单元部分单点发热缺陷,经专项试验排除速饱和阻尼器本身故障后提出速饱和阻 尼器与箱体触碰产生涡流发热的假设,并通过解体证实了该假设. |
| 英文摘要: |
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