陈 钊.500kVCVT电磁单元部分单点发热缺陷分析处理[J].电工技术,2017(4):168-169
500kVCVT电磁单元部分单点发热缺陷分析处理
  
DOI：
中文关键词:  单点发热 速饱和阻尼器 涡流
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作者单位
陈 钊 国网河北省电力公司检修分公司 
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中文摘要:
      针对一起500kVCVT电磁单元部分单点发热缺陷,经专项试验排除速饱和阻尼器本身故障后提出速饱和阻 尼器与箱体触碰产生涡流发热的假设,并通过解体证实了该假设.
英文摘要:
      
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