王俊杰.关于SiC MOSFET雪崩特性的探讨*[J].电工技术,2019(11):18-21
关于SiC MOSFET雪崩特性的探讨*
  
DOI:
中文关键词:  SiC MOSFET  雪崩耐量  UIS测试
英文关键词:
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作者单位
王俊杰 浙江大学 
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中文摘要:
      针对SiC MOSFET的雪崩特性,利用UIS测试原理,通过功率半导体雪崩耐量测试台,对几大主流制造商的SiC MOSFET器件进行了毁坏性和非毁坏性的雪崩测试。通过测试,发现了同步信号高频震荡和雪崩电流采样不可靠的问题,提出了外接电流探头、与同步信号隔离的方法,改善了雪崩测试的可靠性。
英文摘要:
      
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