王俊杰.关于SiC MOSFET雪崩特性的探讨*[J].电工技术,2019(11):18-21 |
关于SiC MOSFET雪崩特性的探讨* |
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中文关键词: SiC MOSFET 雪崩耐量 UIS测试 |
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针对SiC MOSFET的雪崩特性,利用UIS测试原理,通过功率半导体雪崩耐量测试台,对几大主流制造商的SiC MOSFET器件进行了毁坏性和非毁坏性的雪崩测试。通过测试,发现了同步信号高频震荡和雪崩电流采样不可靠的问题,提出了外接电流探头、与同步信号隔离的方法,改善了雪崩测试的可靠性。 |
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