| 徐康,马红波,林冬武.基于GaN HEMT的MHz LLC直流变压器的设计*[J].电工技术,2021(19):67-71 |
| 基于GaN HEMT的MHz LLC直流变压器的设计* |
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| DOI：10.19768/j.cnki.dgjs.2021.19.018 |
| 中文关键词: 高效率 高功率密度 LLC DCX GaN HEMT |
| 英文关键词: |
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| 中文摘要: |
| 为实现母线变换器的高效率和高功率密度，应用GaN HEMT将LLC DCX的开关频率提高到1 MHz，在提高了变换器的功率密度的同时，实现了较高的转换效率。在介绍LLC谐振变换器的工作原理和特性的基础上，优化设计了LLC谐振变换器的谐振参数和平面变压器结构，最后研制出一台1 kW、1 MHz，额定270 V(230~400 V)输入，额定28 V输出的LLC DCX实验样机，其峰值效率为97.57%，功率密度高达18.89 W/cm3。实验结果验证了该方案的合理性与可行性。 |
| 英文摘要: |
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