半实物仿真计算结果表明,CRH5型动车组四象限整流侧IGBT器件寿命长于逆变侧,机车频繁进站会降低 IGBT器件寿命.典型线路计算时,最小寿命约为780万 km.与寿命相关的测试表明,与全新同型号IGBT器件相比,运行480万km 的IGBT器件芯片及 DBC焊层超声波扫描未出现分层现象.饱和压降及键合点推力测试表明,键合线根部已经出现裂纹,导致饱和压降平均值比全新增加0.196%,IGBT芯片键合线推力均值由全新的2800g降低 到2400g,FRD芯片键合线推力均值由全新的2800g降低到2600g及2300g,退化后的测试电学参数均在额定值以内,未达到寿命失效标准.这些研究结果对寿命预测结果进行了初步的验证。 |