| 随着直流微电网的发展,直流断路器作为其主要保护装置而受到高度关注.结合第三代宽禁带半导体器件的
优势,提出了一种新型低压直流碳化硅 (SiliconCarbide,SiC)固态断路器 (Solid-StateCircuitBreaker,SSCB)拓扑,该
SSCB主开关采用常通型SiCJFET器件,用于切断主电路中的故障电流.辅助旁路由SiC MOSFET器件、RC缓冲电路
和压敏电阻 (MOV)组成,用于辅助泄放回路中的过电流来提高直流系统的安全性与稳定性.首先介绍了该SSCB的拓
扑结构,其次根据低压直流系统在短路故障、冲击电流和过流故障时不同的故障特性,分析了该SSCB在不同故障条件
下工作原理及保护控制方法,最后通过 ORCAD/Pspice仿真模型,验证了所提SSCB设计方法的可行性. |
