宋素静,王步根.DC/DC变换电路中开关器件损耗计算及仿真[J].电工技术,2023(11):1-3
DC/DC变换电路中开关器件损耗计算及仿真
  
DOI：10.19768/j.cnki.dgjs.2023.11.001
中文关键词:  DC/DC变换  损耗  碳化硅MOSFET  仿真
英文关键词:
基金项目:
作者单位
宋素静 通达电磁能股份有限公司 
王步根 湖南湘电动力股份有限公司 
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中文摘要:
      根据开关器件的物理模型，分析并计算了开关器件在DC/DC变换电路中的功率损耗。针对工程应用中开关器件损耗计算的实时性和精确性要求，利用功率开关器件手册提供的产品参数，分别计算了逆变部分的SiC MOSFET模块和整流部分的整流二极管的器件损耗。将计算值与PLECS仿真结果进行对比，结果表明该计算方法可得到较为准确的计算损耗，进一步提高了工程应用中损耗计算的准确性。
英文摘要:
      
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